문턱 전압(threshold voltage)
은 반도체 장치, 특히 트랜지스터에서 중요한 개념입니다.
정의
문턱 전압은 트랜지스터가 전류를 흐르게 하기 위해 필요한 최소한의 게이트-소스 전압을 말합니다.
이 전압에 도달하거나 이를 넘어서야 트랜지스터가 켜져서 전류가 흐르기 시작합니다.
MOSFET의 예
MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)에서 문턱 전압은 게이트와 채널 사이의 전압이 채널을 형성시키는 데 필요한 전압을 의미합니다.
이 전압은 트랜지스터가 전도 상태로 전환되는 지점입니다.
의의
문턱 전압은 트랜지스터의 성능에 큰 영향을 미칩니다. 낮은 문턱 전압은 낮은 전력 소비와 빠른 전환 속도를 가능하게 하지만, 누설 전류가 증가할 수 있습니다.
반면, 높은 문턱 전압은 누설 전류를 줄이지만, 더 높은 구동 전압이 필요합니다.
종류
Vth (Threshold Voltage)
일반적인 문턱 전압.
Vgs(th)
게이트-소스 간의 문턱 전압.
문턱 전압은 트랜지스터의 설계, 재료, 제조 공정 등에 따라 달라질 수 있습니다.
이 값은 데이터시트에서 제공되며, 회로 설계 시 중요한 설계 매개변수 중 하나입니다.